特許
J-GLOBAL ID：200903096216247321
エッチング処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147273
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 低温環境で高いエッチングレートの異方性エッチングを実現する。【構成】 本発明によれば、真空処理室内において被処理体の温度を冷却しながら反応性プラズマにより前記被処理体を処理するエッチング処理をするに際して、少なくとも一種の分極したハロゲン化合物を含む処理ガスを前記真空処理室内に導入しプラズマ化することにより前記被処理体の処理を行うことにより、電気的吸引力により処理ガスを被処理体に吸着させ、その吸着量を温度が低温になればなるほど増加させることができるので、低温環境であっても高いエッチングレートの異方性エッチングを実現できる。
請求項（抜粋）：
真空処理室内において被処理体の温度を冷却しながら反応性プラズマにより前記被処理体を処理するエッチング処理方法において、少なくとも一種の分極したハロゲン化合物を含む処理ガスを前記真空処理室内に導入しプラズマ化することにより前記被処理体の処理を行うことを特徴とする、エッチング処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 F
