高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119508
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310471
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】スパッタリング時に割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Ba、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られた円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷の内で、研削傷4と円板状ターゲット1の中心を通る半径方向の線とのなす角が80〜90°の範囲内のx〜xの研削傷の深さRmax が10μm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Ba、SrおよびTiの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られた表面に研削傷を有する円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された研削傷と円板状ターゲットの中心を通る半径方向の線(以下、中心線と云う)とのなす角が80〜90°の範囲内にある研削傷の深さ(Rmax )が10μm以下であることを特徴とする高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (8件)：

C04B 35/46 , C23C 14/34 , H01L 21/31 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/203

FI (8件)：

C04B 35/46 D , C23C 14/34 A , C23C 14/34 B , H01L 21/31 D , H01L 21/203 S , C04B 35/46 E , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

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