特許

J-GLOBAL ID：200903096219589185

半導体装置およびその製造方法ならびに基板の製造方法

発明者： 望月 和浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294566
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 電流増幅率の変動を起き難くする。【解決手段】 半導体基板の一面側に順次重ねて設けられる少なくともコレクタ層,ベース層,エミッタ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを具備する半導体装置であって、前記ベース層の水素濃度は1018cm~3以上であり、前記ベース層はベース層を構成する半導体の禁制帯幅よりもエネルギーの大きな光の照射処理が行われている。前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含むモノリシック・マイクロ波集積回路が構成されている。前記モノリシック・マイクロ波集積回路は高周波電力増幅装置である。回路構成上少なくとも一つのヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース-エミッタ間電圧は1.3V以下であり、前記ベース-エミッタ間電圧印加状態でのベース電流の時間的ばらつきは測定開始時のベース電流に対し1時間で1%以内である。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを具備する半導体装置であって、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース層の水素濃度は1018cm~3以上であり、前記ベース層はベース層を構成する半導体の禁制帯幅よりもエネルギーの大きな光の照射処理が行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/26 E ,  H01L 29/205

Fターム (21件)：

5F003BA06 ,  5F003BA11 ,  5F003BA13 ,  5F003BA25 ,  5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BF01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG01 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH18 ,  5F003BJ01 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM02 ,  5F003BP00 ,  5F003BP11 ,  5F003BP32 ,  5F003BP95 ,  5F003BS08 ,  5F003BZ05