電磁変換素子、その製造方法および可変インダクタ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108123
公開番号（公開出願番号）：特開2000-296612
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】低電圧駆動が可能でヒステリシスの少ない電磁変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電磁変換素子100は、ペロブスカイト結晶構造を備え、電気機械変換作用を示す圧電体薄膜103を備えた圧電体部110、圧電体部110に生じた歪の変化を透磁率の変化に変換する磁気機械変換作用を示す磁性体薄膜106を備えた磁性体部120を備えている。

請求項（抜粋）：

厚み方向に相対的に高い配向性を有するペロブスカイト結晶構造を備えた電気機械変換作用を示す圧電体薄膜を備えた圧電体部と、前記圧電体部に生じた歪の変化を透磁率の変化に変換する磁気機械変換作用を示す磁性体薄膜を備えた磁性体部と、を備えたことを特徴とする電磁変換素子。

IPC (8件)：

B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16 , C23C 14/14 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , C04B 35/49

FI (7件)：

B41J 3/04 103 A , C23C 14/14 F , B41J 3/04 103 H , H01L 41/08 C , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 Z , C04B 35/49 R

Fターム (36件)：

2C057AF55 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AM03 , 2C057AP02 , 2C057AP14 , 2C057AQ01 , 2C057AQ02 , 2C057AR06 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G031AA03 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA14 , 4G031AA18 , 4G031AA23 , 4G031AA32 , 4G031AA39 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA02 , 4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029BA13 , 4K029BA17 , 4K029BA41 , 4K029BA48 , 4K029BA56 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BD01 , 4K029CA03 , 4K029CA05 , 4K029DB20 , 4K029HA07

前のページに戻る