特許

J-GLOBAL ID：200903096225683991

半導体装置の製造方法

発明者： 井上 博之
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021596
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 動作速度が速く且つ信頼性が高い半導体装置を容易に製造する。【構成】 中央部の薄膜部14aとその両側の厚膜部14bとを有するSiO2 膜14をフィールド酸化膜として形成し、厚膜部14bの中央部近傍の上に開口15aの端縁が位置する様にフォトレジスト15をパターニングする。そして、開口15a内のSiO2 膜14の上から、例えば薄膜部14aの膜厚がほぼ投影飛程になる様なエネルギーで、不純物16をイオン注入する。これによって、SiO2 膜14の中央部の下にのみ自己整合的に、チャネルストッパであるP+ 拡散層17が形成される。

請求項（抜粋）：

活性領域に挟まれている領域の中央部に位置し膜厚が相対的に薄い薄膜部とこの薄膜部の両側に位置し膜厚が相対的に厚い厚膜部とを有するフィールド酸化膜を半導体基板の表面に形成し、前記厚膜部のうちで前記薄膜部に連なる一部分と前記薄膜部とに対応する開口を有するマスクを前記半導体基板上に形成し、前記開口から前記半導体基板にチャネルストッパ形成用の不純物をイオン注入する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316