特許
J-GLOBAL ID:200903096229124865

ラジカル反応によるパターニング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-144347
公開番号(公開出願番号):特開平10-335312
出願日: 1997年06月02日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 ラジカル反応によるパターニング方法において、所望のパターン形状および寸法を精度よく、かつ効率的に得る。【解決手段】 反応ガス雰囲気下で、試料載置台2と試料載置台2に対向した電極3とを配置し、試料載置台2に試料5を載置すると共に、試料載置台2と電極3との間に電圧を印加してプラズマを発生させてラジカルを生成することにより試料5に溝10を形成するラジカル反応によるパターニング方法において、溝10を形成する際に、試料5と電極3との間に、ラジカルが試料5に作用する作用領域を定めるスリット7を有するマスク6を配置する。
請求項(抜粋):
反応ガス雰囲気下で、試料載置台と該試料載置台に対向した電極とを配置し、前記試料載置台に試料を載置すると共に、該試料載置台と前記電極との間に電圧を印加してプラズマを発生させてラジカルを生成することにより前記試料に溝を形成するラジカル反応によるパターニング方法において、前記溝を形成する際に、前記試料と前記電極との間に、前記ラジカルが前記試料に作用する作用領域を定めるスリットを有するマスクを配置することを特徴とするラジカル反応によるパターニング方法。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  C23C 26/00 ,  H05H 1/46
FI (3件):
H01L 21/302 D ,  C23C 26/00 D ,  H05H 1/46 A

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