半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172116
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板2とベース板3との間の膨張係数の差異に基づく歪に起因したストレスを吸収する範囲の上限を増大させる。【解決手段】ボルト42aと銅配線9aとを接続するのは第1の電極51aと、第2の電極52aと、これらを接続するワイヤ10aである。同様にしてボルト42bと銅配線9bとを接続するのは第1の電極51bと、第2の電極52bと、これらを接続するワイヤ10bである。ワイヤ10a,10bは可撓性を有しており、材料としては例えばアルミが用いられる。電気的接続を保ちつつ、ボルト42a,42bと銅配線9a,9bとの間に与えられるストレスを吸収する上限を増大させることができる。

請求項（抜粋）：

放熱板と、前記放熱板によって放熱される半導体素子と、前記半導体素子が載置される回路パターンを有する第1面と、前記放熱板が接触する第2面とを含む絶縁基板と、底部と側面とを含み、前記絶縁基板の前記第1面とともに前記半導体素子を囲繞し、絶縁性を有するケースと、前記回路パターンを介して前記半導体素子と接続され、前記ケースを貫通する電極引き出し部とを備えた半導体装置において、前記電極引き出し部は前記回路パターンに電気的に接続されつつ固定された第1の電極と、前記ケースに固定された第2の電極と、可撓性を有し、前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する導線とを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/48 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/48 G , H01L 25/04 C

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