特許

J-GLOBAL ID：200903096231112726

面型光半導体素子およびその製造方法

発明者： 笠原 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118190
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291698
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 低い電流で動作するInP系の面型光半導体素子を実現する。【構成】 n型DBR102はGaAs系半導体で作られ、低温成長で形成したn-InPバッファー層103を介してInGaAs活性層106が形成され、さらにその上方にp型DBR109が形成されている。

請求項（抜粋）：

GaAs又はAlGaAsの基板の上にAlxGa1-xAs(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs(0≦y ≦1)とを交互に積層し、それぞれの厚さを媒質内の光の波長の1/4とした半導体分布反射鏡と、この半導体分布反射鏡の上に550 ゚C以下での温度で成長させたInPバッファー層と、このバッファー層の上に形成されInzGa1-zAswP1-w活性層(0≦z,w≦1)を含む中間層と、この中間層の上に形成れた多層膜反射鏡とでなることを特徴とする面型光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00