特許

J-GLOBAL ID：200903096233225005

半導体素子の製造方法

発明者： 三谷 康弘 ,  野村 克己
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008179
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 アニール処理を施した半導体層において、長尺ビームの走査方向に照射エネルギーのバラツキが生じても、TFT特性の不良が特定のゲートバス配線あるいは特定のソースバス配線に沿って集中するのを回避することができ、これにより上記アニール処理を施した半導体層を用いた高解像度の液晶パネルやイメージセンサなどにおいて、画像表示や読み取りをする上での不具合を解消できる半導体素子の製造方法を得る。【構成】 基板1上の半導体層2を長尺ビームの照射によりアニールする際、該長尺ビームを、基板完成時のマトリクス配線の配置領域18a,18bに平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成した多結晶または非晶質の半導体層をエネルギービームの照射によりアニールして、より大粒径の多結晶あるいは単結晶の半導体層を形成する工程と、該アニール処理を施した半導体層に所望の素子を複数形成する工程とを含み、該アニール処理は、長尺のビーム形状を有するエネルギービームを、該半導体層に形成される素子の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査して行う半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336