特許
J-GLOBAL ID：200903096235912611

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
寺野 昭久

寺野 昭久 について

, 
田中 滋久

田中 滋久 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078184
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258304
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】動作電圧低減が低く、高性能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に形成されたP型の導電型を有する窒化物半導体3の上に第一の金属膜4を形成し、次いでタングステン酸化物からなる膜(WOX)5を重ねて形成した後、熱処理を行う。その後、タングステン酸化物からなる膜を除去し、N型およびP型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成することにより、窒化物半導体発光素子を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、N型の導電型を有する窒化物半導体層と、半導体からなる活性層と、P型の導電型を有する窒化物半導体層とをこの順に積層する多層膜形成工程を含み、 前記P型の導電型を有する窒化物半導体層の上に、第1の金属膜を形成する金属膜形成工程と、 前記第1の金属膜上にタングステン酸化物からなる膜を形成する膜形成工程と、 前記膜形成工程後の前記半導体基板に熱処理を加える熱処理工程と、 前記タングステン酸化物からなる膜を除去する膜除去工程と、 前記N型及びP型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成する電極形成工程と、を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/323 610
Fターム (21件)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AK05 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP64 ,  5F173AR64
引用特許：
出願人引用 (9件)
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