特許

J-GLOBAL ID：200903096237740206

スパッタリングタ-ゲット及びその製造方法

発明者： 斎藤 亨 ,  熊原 吉一 ,  鈴木 裕治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 今井 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-104973
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【目的】 スパッタ時におけるノジュ-ルの発生が少なく、異常放電やパ-ティクルが極力生じにくいセラミックススパッタリングタ-ゲットを提供する。【構成】 粉末冶金法により製造されたセラミックス(ITO等)スパッタリングタ-ゲットを、スパッタ表面の中心線平均粗さRaが 0.1〜 3.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が150μm以上である構成とするか、ITOタ-ゲットにあっては更に密度D(g/cm3) とバルク抵抗値ρ(mΩcm) が「 6.20 ≦D≦ 7.23 」及び「-0.0676D+0.887 ≧ρ≧-0.0761D+0.666 」を満足する如くに構成する。なお、前記表面性状への調整は、直径500μm以下のガラスビ-ズ,アルミナビ-ズ又はジルコニアビ-ズをブラスト材とするブラスト処理を施すことにより行うことができる。

請求項（抜粋）：

粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタリングタ-ゲットであって、スパッタ表面の中心線平均粗さRaが 0.1〜 3.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が150μm以上であることを特徴とするスパッタリングタ-ゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 R