特許
J-GLOBAL ID：200903096238337928
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186593
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 発光表示装置の発光効率、発光輝度を高くするとともに、作成を容易にして歩留まりを高くする。【解決手段】 基板11上に、クラッド層12と活性層13からなる、厚さが100μm以下、大きさが1mm以下である半導体薄片14を膜状に積層し、発光膜15を形成した。クラッド層12の禁制帯幅は活性層13の禁制帯幅より大きい。活性層13の禁制帯幅よりもエネルギーの大きい波長の光や、真空中で電子線を当てると、活性層13で電子と正孔ができ、再結合して発光する。クラッド層12の禁制帯幅が活性層13の禁制帯幅より大きいため、電子と正孔は活性層13に閉じ込められ、発光効率が高く、劣化しにくい。
請求項（抜粋）：
層状のクラッド層とこのクラッド層に挟まれた活性層とからなる半導体薄片を膜状に単層又は多層積層した発光膜が形成されており、且つ、前記クラッド層の禁制帯幅が前記活性層の禁制帯幅以上であることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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