特許

J-GLOBAL ID：200903096240412724

エノールエーテル誘導体の製造方法

発明者： 松本 正勝
出願人/特許権者： 松本 正勝
代理人 (1件)： 下坂 スミ子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-151342
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【構成】 本発明は一般式【化1】で表される化合物と?@一般式【化2】で表されるアルキル化試薬とを塩基の存在下に反応させ、あるいは?Aアルキル若しくはアリールスルホン酸を反応させ、次いで一般式【化4】を反応させることによる一般式【化80】で表されるエノールエーテル誘導体の製造方法である。【効果】 本発明はエノールエーテル誘導体の簡便な製造方法である。本エノールエーテル誘導体は一重項酸素と反応させることにより官能基をもつ化学発光可能な1,2-ジオキセタン誘導体に導くことができる。

請求項（抜粋）：

塩基の存在下、一般式【化1】で表される化合物と一般式【化2】で表されるアルキル化試薬又はシリル化試薬とを反応させることからなる、一般式【化3】で表される化合物の製造方法(式中、R1、R2及びR3は水素原子、アルキル基又はアリール基であり、R1、R2及びR3のいずれか2者は一体となりシクロアルキル基を形成することができる。R5はアルキル基又はシクロアルキル基である。R6及びR7は水素原子、アルキル基又はアリール基であり、R8はアルキル基又は-Si(R10、R11、R12)で表される基である。Arは無置換又はR9で置換されたアリール基であり、R9は、アルコキシル基又は-OSi(R10、R11、R12)で表される基である。R10、R11及びR12はアルキル基である。Xは、R8がアルキル基の場合ハロゲン原子、アルキル若しくはアリールスルホニルオキシ基又はアルキル硫酸基であり、R8が-Si(R10、R11、R12)で表される基の場合、ハロゲン原子である。)。

IPC (6件)：

C07C 43/174 ,  B01J 27/10 ,  C07C 41/16 ,  C07F 7/18 ,  C07B 61/00 300 ,  C07D321/00