特許
J-GLOBAL ID：200903096242819490

昇圧回路及びこれを用いた半導体装置

発明者：
藤岡 伸也

藤岡 伸也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351275
公開番号（公開出願番号）：特開平10-201222
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】電源投入後昇圧電圧が略目標値に達するまでの時間を短縮し、且つ、通常使用時の消費電力を低減する。【解決手段】外部電源電圧Vcc=3.0Vが2V以上になったことを検出して起動停止信号STPをアクティブにする選択制御回路50と、起動停止信号STPが低レベルのときのみ高い周波数fsのクロックを生成し出力するリングオシレータ回路30と、低い周波数foのクロックを生成し出力するリングオシレータ回路10と、起動停止信号STPが低レベルのときリングオシレータ回路30の出力を選択して出力し、起動停止信号高レベルのときリングオシレータ回路10の出力を選択して出力する選択回路40と、該クロックで駆動されるチャージポンプ回路20とを備えている。
請求項（抜粋）：
外部電源電圧が通常電圧より低い所定値以上になったことを検出して起動停止信号をアクティブにする選択制御回路と、該起動停止信号がインアクティブのとき第1周波数のクロックを出力し、該起動停止信号がアクティブのとき該第1周波数より低い第2周波数のクロックを出力するクロック生成回路と、該クロックで駆動されるチャージポンプ回路と、を有することを特徴とする昇圧回路。
IPC (3件)：
H02M 3/07 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H02M 3/07 ,  H01L 27/04 G
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196940   出願人：株式会社東芝
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-126002   出願人：株式会社東芝
  • 内部電圧発生回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040705   出願人：三菱電機株式会社
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