特許

J-GLOBAL ID：200903096252122004

強誘電体メモリ素子およびその製造方法

発明者： 田村 博明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095978
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303994
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】従来の半導体プロセスにおいては、還元雰囲気によって強誘電体特性が劣化し、強誘電体メモリ素子としての性能が得られないことが課題であった。【解決手段】強誘電体キャパシタを、下部電極と、該下部電極と交差する方向に配列された上部電極と、少なくとも前記上部電極と前記下部電極との交差領域に形成された強誘電体層および前記強誘電体層と前記上部電極との間に設けられた中間電極より構成し、前記中間電極を水素バリア機能を有する導電性材料で形成する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極と、該下部電極と交差する方向に配列された上部電極と、少なくとも前記上部電極と前記下部電極との交差領域に形成された強誘電体層および前記強誘電体層と前記上部電極との間に設けられた中間電極を含む強誘電体メモリ素子において、前記中間電極が水素バリア機能を有する材料で構成されることを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444Z

Fターム (15件)：

5F083FR10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR39