特許

J-GLOBAL ID：200903096252471580

半導体レーザ装置とその製造方法

発明者： 荒川 智志 ,  石川 卓哉 ,  粕川 秋彦 ,  大久保 典雄 ,  岩井 則広 ,  二ノ宮 隆夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282599
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191150
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 製造工程の簡易化と製造歩留りの向上を図り、信頼性の高い大出力の半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に選択領域成長用マスクを用いた有機金属気相成長法により膜厚を異ならせてレーザ素子領域と光出射領域と形成し、レーザ素子領域のレーザ活性層における発振波長を0.8〜1.1μmに設定し、光出射領域の導波路層の禁制帯幅をレーザ活性層に対して大きく設定することで、上記レーザ発振波長に対して透明化する。特にレーザ活性層/導波路層をIn1-xGaxAsP層とし、III族元素の割合xを[0.5〜0.8]に設定する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成された多層膜構造の半導体レーザ装置であって、選択領域成長用マスクを用いた有機金属気相成長法により膜厚を異ならせて形成されたレーザ活性部と光出射部とを備え、前記レーザ活性部におけるレーザ活性層はそのレーザ発振波長が0.8〜1.1μmに設定され、前記光出射部における導波路層は前記レーザ活性層に対して禁制帯幅が大きく設定されて前記レーザ発振波長に対して透明化されていることを特徴とする半導体レーザ装置。