特許
J-GLOBAL ID：200903096254381724
金属-金属容量装置及び作製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168189
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 金属-金属容量装置及び作製法を提供する。【解決手段】 ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)とDRAMの作製方法に係り、この場合、容量性要素は平坦又はほぼ平坦に作られ、導電性窓(W1)を通して、トランジスタのソース及びドレインと接触する金属領域(M1)上に配置される。適当な方式で適当な基板上にトランジスタを形成し、第1の酸化物層を堆積させ、それは続いて適当な技術で平坦化されることにより、DRAMが作製される。次に、酸化物層内に窓が形成され、導電性プラグが窓内に形成される。メモリセルビットライン又は導電性プラグ間のカプラとして働く第1のパターン形成された領域が、次に酸化物層上に形成される。第2の酸化物層がその上に形成され、適当な窓及び導電性プラグが、その中に形成される。
請求項（抜粋）：
上に形成された少くとも1つのトランジスタをもつ基板を準備する工程;前記トランジスタ及び前記基板上に第1の平坦化された酸化物層(D1)を堆積させ、前記第1の平坦化された酸化物層(D1)はその中に形成され、第1の導電性プラグが形成されるように、導電性材料で満された少くとも1つの第1の窓(W1)を有する工程;前記第1の導電性プラグ及び前記第1の平坦化された酸化物層(D1)の一部分上に、少くとも1つの第1のパターン形成された金属領域(M1)を形成し、前記第1のパターン形成された金属領域(M1)は前記第1の導電性プラグに、電気的に結合される工程;第2の平坦化された酸化物層(D2)を、前記第1のパターン形成された金属領域(M1)及び前記第1の平坦化された酸化物層(D1)上に堆積させ、前記第2の平坦化された酸化物層(D2)はその中に形成され、第2の導電性プラグが形成されるように、導電性材料で満された少くとも1つの第2の窓(W2)を有する工程;少くとも1つの容量を、前記第2の導電性プラグ及び前記平坦化された酸化物層(D2)上に形成し、前記容量は前記第2の導電性プラグに電気的に結合される工程;前記容量上に、少くとも1つの第2のパターン形成された金属領域(M2)を形成し、前記パターン形成された金属領域(M2)は前記容量に電気的に結合される工程;前記第2のパターン形成された金属領域(M2)、前記容量の一部分及び前記第2の平坦化された酸化物層(D2)上に、第3の平坦化された酸化物層(D3)を堆積させ、前記第3の平坦化された酸化物層(D3)はその中に形成され、第3の導電性プラグが形成されるように、導電性材料で満された少くとも1つの第3の窓(W3)を有する工程;前記第3の導電性プラグ上及び前記第3の平坦化された酸化物層(D3)の一部分上に、少くとも1つの第3のパターン形成された金属領域(M3)を形成し、前記第3のパターン形成された金属領域(M3)は前記第3の導電性プラグに電気的に結合される工程;及び前記第3のパターン形成された金属領域(M3)及び前記第3の平坦化された酸化物層(D3)上に第4の平坦化された酸化物層(D4)を堆積させる工程を含むダイナミックランダムアクセスメモリの作製方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
