特許

J-GLOBAL ID：200903096258827115

電力用半導体素子のゲート駆動回路

発明者： 滝沢 聡毅
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311951
公開番号（公開出願番号）：特開2002-125363
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 特に、駆動運転時におけるターンオフ損失を低減させる。【解決手段】 IGBT等の電力用半導体素子から構成されるインバータの直流電圧を分圧回路R4,R5を介して検出し、その出力VdをコンパレータCP1で基準値と比較して基準値以下のときは、電流変化率di/dtも低くて良いので、アンドゲートAN1を介してスイッチS3をオンとし、IGBTのゲート抵抗値を抵抗R2とR3の並列抵抗値として抵抗値を下げることにより、ターンオフ損失の低減を図る。

請求項（抜粋）：

電力変換装置を構成する電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路において、前記電力変換装置の直流部の電圧を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出電圧値がある設定値以下になったときは、ゲート抵抗値を低減することを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (4件)：

H02M 1/08 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/00 ,  H03K 17/56

FI (4件)：

H02M 1/08 A ,  H02M 7/5387 Z ,  H03K 17/00 Z ,  H03K 17/56 Z

Fターム (32件)：

5H007AA03 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007DC05 ,  5H740AA01 ,  5H740AA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740KK01 ,  5H740NN17 ,  5J055AX56 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055EX06 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ25 ,  5J055EZ31 ,  5J055FX12 ,  5J055FX18 ,  5J055FX32 ,  5J055GX01