特許
J-GLOBAL ID：200903096259669580
突起電極の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344334
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175199
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 LSIチップの突起電極の中央部に弾性体よりなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するものであり基板への接続の信頼性を向上させる。【構成】 バリアメタル4上にめっきにより突起電極を形成する際に、めっきマスク5を弾性体で形成し、また開口部をリング状とし中央に残っためっきマスクの一部を覆うようにめっきし弾性体の核を有した突起電極8を得る。【効果】 LSIチップの突起電極の中央部に弾性体よりなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するものであり基板への接続の信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
配線が形成された半導体ウェハーの表面に金属膜を形成する工程、前記配線の一部にリング状の開口部を有した絶縁性皮膜を前記金属膜上に形成する工程、前記金属膜を電極とし電解めっきにより前記開口部に前記リング状の開口部内にある島状の絶縁性皮膜の表面を覆うように金属突起を形成する工程、前記金属突起の周囲にある前記絶縁性皮膜を除去する工程、前記金属膜の不要部を除去する工程よりなることを特徴とする突起電極の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
