X線照射装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-190962
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 X線照射装置に関し、出射するX線を広域化、平行・単色化し、半導体表面不純物分析用の全反射蛍光X線分析装置、シリコンウエハの結晶欠陥評価用X線装置、表面粗さ分析用X線装置等に利用可能とする。【構成】放物面状、回転放物面状に湾曲したグラファィト結晶の湾曲面、円状に湾曲したグラファィト結晶の凸面、球面状に湾曲したグラファィト結晶の凸面、または非対称カットされたグラファイト積層面を反射面として利用するX線照射装置であり、出射するX線が広域化、平行・単色化される。

請求項（抜粋）：