特許
J-GLOBAL ID:200903096262534190
非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-322705
公開番号(公開出願番号):特開平9-157884
出願日: 1995年12月12日
公開日(公表日): 1997年06月17日
要約:
【要約】【課題】 セラミック部分を複合した部品のセラミック部分を侵食することがなく、かつ本来めっきされるべき部分にのみニッケルめっきを施すことができるニッケルめっき浴を提供すること。【解決手段】 ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量1.5モル/l以下であり、かつ浴のpHが7〜14であるニッケルめっき浴。
請求項(抜粋):
ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量1.5モル/l以下であり、かつ浴のpHが7〜14であるニッケルめっき浴。
引用特許:
審査官引用 (19件)
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特開昭54-062933
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特開昭61-091384
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特開昭52-140433
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特開昭62-103387
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特公昭45-009845
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特公昭36-014464
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特開昭54-062933
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特開昭61-091384
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特開昭52-140433
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特開昭62-103387
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特公昭45-009845
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特公昭36-014464
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特開平4-023308
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特開平3-060185
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電子部品の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-235180
出願人:株式会社村田製作所
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特開平4-276092
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特開昭62-103387
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特公昭37-011207
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特公昭58-018996
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