多電極分布帰還型半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204608
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029709
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】等価屈折率分布の不均一形状分布に起因した波長変動を最小に抑制できる最適電極幅を持つ分布帰還型(DFB)半導体レーザを提供する。【構成】 DFBレーザにおいて、共振器光軸方向に3つに分離された電極1a〜1cを上部電極として構成する。そして、この3電極のうち中央の電極1bは、その電極幅をxとし、両端面間の共振器の長さをLとしたとき、0.75<(x/L)<0.89の関係を満たす電極幅を持つ。これにより、共振器内の均一な屈折率分布を実現でき、発振波長の変動を抑制して、安定な単一モード発振を得ることができる。

請求項（抜粋）：

平行両端面を有する半導体の内部に位相反転部分を有する回折格子を具備した分布帰還型半導体レーザにおいて、共振器光軸方向に3つに分離された電極を持ち、この3つの電極のうち中央の電極は、その電極幅をxとし、前記両端面間の共振器の長さをLとしたとき、0.75<(x/L)<0.89を満たす電極幅を持つことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザ。

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