特許
J-GLOBAL ID：200903096266942560
超音波センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221005
公開番号（公開出願番号）：特開2007-037006
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】残響振動を短くするとともに、残留応力を低減することで感度を向上させ、且つ、共振周波数の均一化を図った超音波センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】超音波センサAは、支持層11の一部を絶縁層12に達するまでエッチングすることによってメンブレン15が形成されたSOI基板10を備え、活性層13の表面を熱酸化してシリコン酸化膜14を形成するとともに、シリコン酸化膜14の表面に下部電極16、圧電薄膜17および上部電極18を積層してある。メンブレン15上に形成された下部電極16および圧電薄膜17は、上部電極18とSOI基板10との間に存在する部分のみが残るようにパターニングされ、圧電薄膜17及び両電極16,18を覆うようにしてシリコン酸化膜14の表面全体にFC薄膜19を形成してある。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
裏面をエッチングすることによってメンブレンが形成された半導体基板と、半導体基板の表面において前記メンブレン上に少なくとも一部が形成された下部電極と、下部電極の表面に形成された圧電薄膜と、圧電薄膜の表面に形成された上部電極とを備え、前記メンブレン上に形成された前記下部電極および前記圧電薄膜は、前記上部電極と前記半導体基板との間に存在する部分のみが残るようにパターニングされ、且つ、前記圧電薄膜および前記両電極を覆うようにして前記半導体基板の表面の略全体に形成されたフロロカーボンの薄膜を備えて成ることを特徴とする超音波センサ。
IPC (5件)：
H04R 17/00
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/22
, G01S 7/521
H04R17/00 330G
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101D
, H01L41/22 Z
, G01S7/52 A
, H04R17/00 330Y
, H04R17/00 330H
5D019BB05
, 5D019BB30
, 5D019FF01
, 5D019HH01
, 5J083AA02
, 5J083AC16
, 5J083AC18
, 5J083AC31
, 5J083CA01
, 5J083CB03
, 5J083CB18
