特許

J-GLOBAL ID：200903096271465818

ICチップの接続方法

発明者： 村井 博 ,  小柏 俊典 ,  有川 孝俊
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088246
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】ICチップAl電極上に別工程で皮膜形成を行う工程を省略しても、ICチップAl電極上の半田バンプをリフロー処理した後、半田バンプ材料とAl電極の接触部分の外側のAl電極部分の損傷を防止出来るICチップと基板の接続方法を提供する。【構成】ICチップ1にAl電極2を形成した後、該電極2を備えたICチップ1をArガス雰囲気炉内で80°C、30分加熱処理を行った。次いでAl電極2上に半田バンプ3を形成し、さらにその後、半田バンプにフラックスを塗布して270°Cの温度でリフロー処理を行いAl電極2上の半田バンプ3を球状化処理し、ICチップ1と基板4を接続した。

請求項（抜粋）：

ICチップにAl電極を形成する第1工程と、該電極上に半田バンプを形成する第2工程と、該半田バンプにフラックスを塗布してリフロー処理によりICチップと基板を接続する第3工程からなるICチップの接続方法において、第3工程に至るまでにAI電極を備えたICチップに水分除去処理を施すことを特徴とするICチップの接続方法。