特許

J-GLOBAL ID：200903096271779383

I-III-VI族系化合物半導体及びこれを用いた薄膜太陽電池

発明者： 神谷 武志 ,  佐藤 賢次 ,  中村 真砂美 ,  池谷 剛 ,  中川 伸一 ,  望月 紀雄 ,  豊田 和弘 ,  鈴木 和枝 ,  石田 正晴
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077242
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274534
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 I-III-VI族系化合物半導体14における均一な結晶成長を実現して成膜の均一性を向上させると共に、結晶粒径を大きくすることにより、薄膜太陽電池30における高光電変換効率化、光電流の高出力化を図る。【解決手段】 基板13上に形成された第1金属層12上に、III-VI族元素化合物を有するIII-VI族元素化合物層11、リチウム化合物を有するリチウム化合物層15、及びI族元素を有する第2金属層16を含むプリカーサー20を形成すると共に、プリカーサー20を所定雰囲気内で所定温度で加熱する熱処理を実行することにより形成される。

請求項（抜粋）：

カルコパライト系の半導体結晶であるI-III-VI族系化合物半導体であって、III-VI族元素化合物、アルカリ金属化合物、及びI族元素を含むプリカーサーを所定雰囲気内で所定温度で加熱する熱処理を実行することにより形成された、ことを特徴とするI-III-VI族系化合物半導体。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 27/14 ,  H01M 14/00

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01M 14/00 P ,  H01L 27/14 Z