特許
J-GLOBAL ID：200903096272262325
半導体露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211620
出願日： 1994年01月25日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 レジスト膜の感度に応じて、露光量を連続的に調節することができる半導体露光装置を提供する。【構成】 第4高調波発生装置112は、レーザ光源からのレーザ光により励起されて基本波のレーザ光を発振し、上記基本波のレーザ光を第1の非線形光学結晶を備える第1の共振器により第2高調波のレーザ光に波長変換し、上記第2高調波のレーザ光を第2の非線形光学結晶を備える第2の共振器により第4高調波のレーザ光に波長変換して出力する。光量制御手段111は、上記レーザ光源の出力を制御して上記第4高調波発生装置112の第4高調波のレーザ光の出力を調節する。上記第4高調波のレーザ光を使用してウェーハ133を露光する。
請求項（抜粋）：
励起用のレーザ光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ光により励起されて基本波のレーザ光を発振し、該基本波のレーザ光を第1の非線形光学結晶を備える第1の共振器により第2高調波のレーザ光に波長変換し、該第2高調波のレーザ光を第2の非線形光学結晶を備える第2の共振器により第4高調波のレーザ光に波長変換して出力する光源手段と、上記レーザ光源の出力を制御して上記光源手段の第4高調波のレーザ光の出力を調節する光量制御手段とを有し、該第4高調波のレーザ光によりウェーハを露光することを特徴とする半導体露光装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G02F 1/37
, G03F 7/20 521
, H01S 3/109
H01L 21/30 515 B
, H01L 21/30 516 D
