半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267604
出願日： 1992年05月06日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【構成】半導体基板表面に導電膜あるいは絶縁膜100を形成し、導電膜あるいは絶縁膜100をフォトレジスト101で覆った後、フォトレジスト101をパターニングし所定の領域の導電膜あるいは絶縁膜100をエッチング除去し、続けてエッチングした領域に第1の不純物を導入する。次にフォトレジスト101を取り除いた後フォトレジスト103を全面に覆った後パターニングし、第1の不純物注入領域以外の箇所の導電膜あるいは絶縁膜100をエッチング除去した後、エッチングした領域に第2の不純物を導入する。【効果】 (1)フォトリソ工程の減少により、製造工程のコストダウンに寄与する。(2)フォトレジストをゲート電極上または窒化膜に残してイオン注入することにより、微細化、高集積化が可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面上に第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜上に第1の所定の領域を除いて第2の膜を形成する工程と、前記第1の所定の領域にある前記第1の膜を取り除く工程と、前記第1の所定領域下の半導体基板表面部分に第1の不純物を導入し第1の不純物領域を形成する工程と、前記第2の膜を取り除く工程と、前記第1の不純物領域を覆い、かつ、第2の所定領域を除くように前記第1の膜上に第3の膜を形成する工程と、前記第2の所定領域にある前記第1の膜を取り除く工程と、前記第2の所定領域下の前記半導体基板表面部分に第2の不純物を導入し第2の不純物領域を形成する工程とから少なくともなる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/092 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/08 321 N , H01L 21/265 S , H01L 27/08 321 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-272066
特開昭63-232457
特開平3-194964

全件表示

前のページに戻る