特許
J-GLOBAL ID：200903096279503638
レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057448
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196095
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 微細な解像性、LER及び焦点深度幅を向上させることを目的とするレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a)を含む質量平均分子量が8000以下の樹脂であり、前記(B)成分が、下記一般式(b-1)または(b-2)で表される少なくとも1種のスルホニウム化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、
前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a)を含む質量平均分子量8000以下の樹脂であり、
前記(B)成分が、下記一般式(b-1)または(b-2)
IPC (3件)：
G03F7/039
, G03F7/004
, H01L21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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