特許

J-GLOBAL ID：200903096287832500

Siウイスカ-の製造方法

発明者： 計良 ゆう子 ,  上原 秀俊
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204082
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047667
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 Siウェハを用いて、安定に多量に、また、n型,p型など自由に形成できるSiウィスカ-の製造方法を実現する。【構成】 Siウェハにホトリソグラフィでパタ-ンニングしてエッチングすることにより、溝部を形成し、その後、エピタキシャル成長させて、前記溝部にSiウィスカ-を形成するようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Siウェハにホトリソグラフィでパタ-ンニングしてエッチングすることにより、溝部を形成し、その後、エピタキシャル成長させて、前記溝部にSiウィスカ-を形成するようにしたことを特徴とするSiウィスカ-の製造方法。