特許
J-GLOBAL ID:200903096293568335

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-026533
公開番号(公開出願番号):特開平8-222689
出願日: 1995年02月15日
公開日(公表日): 1996年08月30日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子の実装面積を小さくできる半導体装置とその製造方法を得る。【構成】 回路基板1と、封止樹脂23にて電極22周辺を封止されて上記回路基板上に実装された第1の電子部品20と、上記第1の電子部品上に配置され上記回路基板上に実装された第2の電子部品41とを備える。
請求項(抜粋):
回路基板と、封止樹脂にて電極周辺を封止されて上記回路基板上に実装された第1の電子部品と、上記第1の電子部品上に配置され上記回路基板上に実装された第2の電子部品とを備えた半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56
FI (2件):
H01L 25/08 Z ,  H01L 21/56 E

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