特許
J-GLOBAL ID：200903096295446482
誤り訂正回路を有する半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041084
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】本発明は半導体メモリに関し、信頼性の高いメモリを提供することにある。【構成】誤り訂正回路として、符号化回路と復号化回路を設け、符号化した信号をメモリアレーに記憶させ、リフレッシュ時に復号化回路及び符号化回路を介して再書き込みを行う。【効果】リフレッシュ時にメモリアレー内での誤りを訂正したデータが再書き込みされるため、信頼性の高いメモリが得られる。また、高信頼性のためにリフレッシュ回数を減らしたり、リフレッシュ間隔を長くできるので、省電力が図れる。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と、複数のデータ線と、該複数のワード線と該複数のデータ線の所望の交点に配置されたメモリセルと、上記ワード線によって同時に選択されるメモリセルの少なくとも一部のデータを取り込んで復号化する復号化回路と、該復号化回路の出力を符号化する符号化回路とを有する半導体メモリにおいて、上記符号化回路の出力は再び対応する上記メモリセルに書き込まれることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/401
, G11C 29/00 303
