特許

J-GLOBAL ID：200903096306340215

記憶装置

発明者： 伊藤 隆文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-269335
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090519
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】セキュリティレベルに対応した書き込み動作を行うことができ、信頼性を向上できる記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置は、セキュリティレベルに対応して設けられた複数の記憶領域を備えた不揮発性メモリ15と、前記複数の記憶領域の一部である第1領域33をM値モードで書き込み、前記複数の記憶領域の一部であって前記第1領域よりもセキュリティレベルが低い第2領域33をN値モード(N>M)で書き込むように構成されたコントローラ13とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セキュリティレベルに対応して設けられた複数の記憶領域を備えた不揮発性メモリと、 前記複数の記憶領域の一部である第1領域をM値モードで書き込み、前記複数の記憶領域の一部であって前記第1領域よりもセキュリティレベルが低い第2領域をN値モード(N>M)で書き込むように構成されたコントローラとを具備すること を特徴とする記憶装置。

IPC (7件)：

G06F 12/16 ,  G06F 12/00 ,  G11C 16/02 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/073 ,  G11B 20/10 ,  G11B 20/12

FI (9件)：

G06F12/16 310A ,  G06F12/00 542A ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 601A ,  G06K19/00 N ,  G06K19/00 P ,  G11B20/10 H ,  G11B20/10 311 ,  G11B20/12

Fターム (31件)：

5B018GA04 ,  5B018HA35 ,  5B018MA24 ,  5B018NA06 ,  5B018PA03 ,  5B018QA15 ,  5B035AA13 ,  5B035BB09 ,  5B035BB11 ,  5B035CA11 ,  5B035CA29 ,  5B035CA38 ,  5B082GA13 ,  5B082JA08 ,  5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA11 ,  5B125CA22 ,  5B125DD10 ,  5B125DE15 ,  5B125EA08 ,  5B125EA10 ,  5B125EK01 ,  5B125FA04 ,  5D044DE03 ,  5D044DE50 ,  5D044DE52 ,  5D044EF05 ,  5D044GK08 ,  5D044GK12 ,  5D044GK17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• メモリカードの制御方法および不揮発性半導体メモリの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-175246   出願人：株式会社東芝