特許

J-GLOBAL ID：200903096306781610

化合物半導体基板の表面清浄化方法、表面平滑度向上方法および清浄化装置

発明者： 松岡 徹 ,  中村 孝夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118819
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 表面の酸化物を除去することに加え、Cも除去することができるように改良された、化合物半導体基板の表面の清浄化方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 処理室内に化合物半導体基板1を搬送する。化合物半導体基板1の表面にハロゲン原子を含むガスを接触させる。化合物半導体基板1を加熱する。

請求項（抜粋）：

処理室内に化合物半導体基板を搬送する工程と、前記化合物半導体基板の表面に、ハロゲン原子を含むガスを接触させる工程と、前記化合物半導体基板を加熱する工程と、を備えた化合物半導体基板の表面清浄化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 645 ,  B08B 5/00

FI (2件)：

H01L 21/304 645 Z ,  B08B 5/00 Z

Fターム (4件)：

3B116AA02 ,  3B116AB01 ,  3B116BC01 ,  3B116CD11