特許
J-GLOBAL ID：200903096307260312
化合物半導体基板及びその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173865
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343321
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板の主面上に、エピタキシャル成長法によって形成されたIII-V族化合物半導体層を有する化合物半導体基板を、III-V族化合物半導体層がその全域に亘って極性の反転している領域を有さず且つ結晶方位のそろった単結晶表面を有するものとして、製造する。【構成】 主面が、(100)面から傾斜し、且つその<011>軸方向への傾斜成分をa、<01-1>軸方向(なお、「-」は、その直後の数字の上位置に付される「-」に代えた表示、以下同じ)への傾斜成分をbとするとき、|b/a|≠1、望ましくは|a/b|<0.95または|b/a|<0.95を満足するとともに、その<011>軸方向への傾斜角を0.1°以上とする面方位を有する面でなるシリコン基板を用意し、そのシリコン基板の主面上に、シリコン層をエピタキシャル成長法によって形成し、そのシリコン層上に、III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長法によって形成させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の主面上に、エピタキシャル成長法によって形成されたIII-V族化合物半導体層を有する化合物半導体基板において、上記シリコン基板の主面が、(100)面から傾斜し、且つその<011>軸方向への傾斜成分をa、<01-1>軸方向(なお、「-」は、その直後の数字の上位置に付される「-」に代えた表示、以下同じ)への傾斜成分をbとするとき、|b/a|≠1を満足するとともに、その<011>軸方向または<01-1>軸方向への傾斜角を0.1°以上とする面方位を有する面でなり、上記III-V族化合物半導体層が、上記シリコン基板の主面上に、それに接してエピタキシャル成長法によって形成されたシリコン層を介して、それに接して形成されていることを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C30B 25/02
, C30B 25/18
