特許
J-GLOBAL ID：200903096311692472
光半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017849
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204825
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置の遮光効率の低下によるノイズの発生を招くことなく、コンパクト化を図る。【解決手段】 光半導体素子13、14を封じ込めるための透光性を有する樹脂材料からなる封止体11の表面に遮光膜12を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの光半導体素子を封じ込めるための透光性を有する樹脂材料からなる封止体と、該封止体の表面に形成された遮光膜とを含む光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 C
, H01L 33/00 N
