軸外照明を用いたリソグラフィックパターンニング用マスク | 特許情報

【要約】軸外照射を利用したリソグラフィー装置における、焦点深度の増加と特定の形状間のCDを最小化のためのマスクが開示されている。分離された形状と密集してなる形状間の近接効果を軽減し、焦点深度(DOS)を増加させる第1のマスクが開示されている。第1のマスクは、孤立エッジの近傍に配置されたスキャタリングバーとしての特別のライン(214)を有する。スキャタリングバーは、分離されたエッジと密集してなるエッジとのグラジェントが近接効果を無視可能な程度に一致するように、孤立エッジと隔離されている。スキャタリングバー間の幅は、形状を分離し得るDOFの範囲の最大値に設定される。また、照射を4倍にするためにのみ効果を奏する第2のマスクについても開示されている。このマスクは、照射強度レベルを”ブースト”し、結果として、小さな方形のコンタクトに関するDOFの範囲をブーストし、これにより、それらは、照射強度レベルと、大きく離隔されたコンタクトのDOFの範囲を近づける。小さなコンタクトにおける照射強度の増加は、レジスト層に転写されたときのサイズが変動し得るコンタクトのパターンとパターンとの間の寸法を小さくする。第2のマスクは、方形のコンタクト開口部の周辺に配された、アンチ・スキャタリングバーとしての特別の開口部を有する。小さなコンタクトのエッジとアンチ・スキャタリングバーとの分離量により照射強度の増加量が決定される。アンチ・スキャタリングバー間の幅によりDOFの範囲の増加量が決定される。スキャタリングバーとアンチスキャタリングバーの双方は、フォトレジストの露光の際にパターンを生成しないように、露光装置の分解能よりも十分に小さい幅をもつように設計される。

1. 集積回路に対応するリソグラフィックパターンの光学的転写をマスクから半導体基板上に行う装置であって、前記パターンは、前記パターン中の他エッジから相対的に孤立した少なくとも1つのエッジを備える第1のタイプの形状と、前記パターン中の前記他エッジに相対的に近接する全エッジを備える第2のタイプの形状とを含み、前記装置は軸外照明を用い、前記軸外照明は、前記第2のタイプの形状の焦点深度範囲を前記第1のタイプの形状の焦点深度範囲より大きくさせ、改良されたマスクは、複数の追加の線を備え、前記複数の追加の線の各々は、前記孤立エッジから所定距離に対応して前記マスク上に配置され、前記第1のタイプの形状の焦点深度範囲を前記第2のタイプの形状の焦点深度範囲に近づけるために、前記第1のタイプの形状の焦点深度範囲を増やすように前記追加の線の幅が選択されることを特徴とする。 2. 前記複数の追加の線は、前記基板上に転写されないように十分に狭い幅を有することを特徴とする請求項1の改良。 3. 前記第1と第2のタイプの形状はある最小寸法を有し、前記追加の線の幅は、前記ある最小寸法の約30%-50%であることを特徴とする請求項2の改良。 4. 前記所定距離は、前記ある最小寸法の約90%であることを特徴とする請求項3の改良。 5. 前記軸外照明は、クワドラポール型照明であることを特徴とする請求項4の改良。 6. 前記軸外照明は、環状型照明であることを特徴とする請求項4の改良。 7. 集積回路に対応するパターンをマスクから半導体基板上に転写するための軸外型照明を用いるリソグラフィック装置であって、前記孤立形状と前記マスク上に密に詰め込まれた形状間での近接効果を減らすために、前記マスクは孤立形状の孤立エッジに隣接する追加の線を含み、軸外型照明を用いたリソグラフィック装置のための前記マスクを、DOF差と前記孤立形状と前記密に詰め込まれた形状間の前記近接効果を減らすために、最適化する方法は、前記孤立エッジのエッジ勾配が前記密に詰め込まれた形状のエッジ勾配にかなりマッチするように、前記追加の線を前記孤立エッジからある距離をおいて配置し、前記孤立形状のDOF範囲が前記密に詰め込まれた形状のDOF範囲に近くなるように、前記追加の線の幅を調整することを特徴とする。 8. 前記幅は、前記基板上に転写されないように十分狭いことを特徴とする請求項7の改良。 9. 前記孤立形状と前記密に詰め込まれた形状は、ある最小寸法を備え、前記追加の線の幅は、前記ある最小寸法の約30%-50%であることを特徴とする請求項8の改良。 10. 前記所定距離は、前記ある最小寸法の約90%であることを特徴とする請求項9の改良。 11. 前記軸外照明は、クワドラポール型照明であることを特徴とする請求項10の改良。 12. 前記軸外照明は、環状型照明であることを特徴とする請求項10の改良。 13. 集積回路に対応するリソグラフィックパターンの光学的転写をマスクから半導体基板上に行う装置であって、前記装置はクワドラポール型照明を用い、前記パターンは少なくとも1つの形状を有し、改良されたマスクは、前記少なくとも1つの形状に隣接して囲む追加の形状を備え、前記追加の形状は、前記少なくとも1つの形状の全エッジから所定距離に配置され、前記少なくとも1つの形状と同じ透明性を有し、前記追加の線の幅は、前記少なくとも1つの形状の焦点深度を増やすように選択されることを特徴とする。 14. 前記幅は、前記基板上に転写されないように十分狭いことを特徴とする請求項13の改良。 15. 前記幅は、前記装置の軸外照明解像限界の1/3におおよそ等しいことを特徴とする請求項14の改良。 16. 前記少なくとも1つの形状はある最小寸法を有し、前記所定距離は、前記最小寸法の約90%であることを特徴とする請求項14の改良。 17. 集積回路に対応するリソグラフィックパターンをマスクから半導体基板上に転写するための用いられる装置であって、前記装置はクワドラポール型照明を用い、前記パターンは第1の形状型と第2の形状型を含み、前記第1の形状型と第2の形状型の各々は、関連するDOF範囲を有し、前記第1の形状型のDOF範囲は前記第2の形状型のDOF範囲より大きく、改良されたマスクは、追加の形状は、前記第2の形状の全エッジから所定距離をおいて、前記マスク上の前記第2の形状に隣接して囲むように配置され、前記追加の形状は、前記第2の形状と同じ透明性を有し、前記第2の形状のDOFを前記第1の形状のDOFに近づけるために、前記第2の形状のDOFを増やすように前記追加の形状の寸法が選択されることを特徴とする。 18. 前記追加の形状は、前記基板上に転写されないように十分狭い幅を備えることを特徴とする請求項17の改良。 19. 前記幅は、前記装置の軸外照明解像限界の1/3におおよそ等しいことを特徴とする請求項18の改良。 20. 前記第1と第2の型の形状はある最小寸法を有し、前記所定距離は、前記最小寸法の約90%であることを特徴とする請求項19の改良。 21. 前記第1の形状型は、前記第2の形状型よりも相対的に大きいことを特徴とする請求項20の改良。 22. 前記第1の形状型は引き延ばされたコンタクト形状であり、前記第2の形状型は正方形コンタクト形状であることを特徴とする請求項21の改良。 23. 集積回路に対応するリソグラフィックパターンをマスクから半導体基板上に光学的に転写するために用いられる装置であって、前記装置はクワドラポール型照明を用い、前記パターンは第1の形状型と第2の形状型を含み、前記第1の形状型と第2の形状型の各々は、関連する強度レベルとDOFを有し、前記第1の形状型の強度レベルとDOFは、前記第2の形状型の強度レベルとDOFより大きく、前記第2の形状型に対する強度とDOF範囲を増加させる方法は、前記追加の形状を前記マスク上に供給し、前記形状は、前記第2の形状型に隣接して囲んで配置され、前記第1と第2の形状型と同じ透明性を有し、前記形状を前記第2の形状型からある距離おいて配置し、前記距離が、前記第2の形状型の強度レベルを前記第1の形状型の強度レベルにかなりマッチさせるようにし、前記追加の形状の幅を調整して、前記幅によって、前記第2の形状のDOF範囲が前記第1の形状のDOF範囲に近くなるようにさせることを特徴とする。 24. 前記追加の形状は、前記基板上に転写されないように十分狭い幅を備えることを特徴とする請求項23の改良。 25. 前記幅は、前記装置の軸上照明解像限界の1/3におおよそ等しいことを特徴とする請求項24の改良。 26. 前記第1と第2の型の形状型はある最小寸法を有し、前記所定距離は、前記最小寸法の約90%であることを特徴とする請求項25の改良。 27. 前記第1の形状型は、前記第2の形状型よりも大きいことを特徴とする請求項26の改良。 28. 前記第1の形状型は引き延ばされたコンタクト形状であり、前記第2の形状型は正方形コンタクト形状であることを特徴とする請求項27の改良。

審査官引用 (8件)

特開平3-210560
特開平4-163455
投影露光方法及び投影露光用光学マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-028296 出願人：富士通株式会社

全件表示