特許

J-GLOBAL ID：200903096315666522

半導体式悪臭ガスセンサ

発明者： 福井 清 ,  敏蔭 照和
出願人/特許権者： 新コスモス電機株式会社
代理人 (1件)： 北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157147
公開番号（公開出願番号）：特開平6-003309
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 アンモニアを主成分とする悪臭ガスに対して検知能力が高く、信頼性の高い半導体式悪臭ガスセンサを提供する。【構成】 原子価制御された金属酸化物半導体に、塩基性の高い金属酸化物と、酸性の高い金属酸化物を共に担持させた、金属酸化物半導体部2を設けてある。

請求項（抜粋）：

原子価制御された酸化スズ半導体を主成分とする、金属酸化物半導体部(2)を備えた半導体式悪臭ガスセンサであって、前記金属酸化物半導体部(2)に、塩基性の強い金属酸化物と、酸性の強い金属酸化物を共に担持させてある半導体式悪臭ガスセンサ。