特許

J-GLOBAL ID：200903096322159741

ユニポーラ多重量子井戸デバイスとその製造方法

発明者： 大塚 信之 ,  水野 紘一 ,  吉井 重雄 ,  鈴木 朝実良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283174
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119814
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】周波数が20THzから100THz程度で室温連続発振するユニポーラ多重量子井戸発振器を提供すること。【解決手段】多重量子井戸が、サブバンド間遷移によって動作し、かつ指定された発振周波数の電磁波を放出するユニポーラ多重量子井戸発振器を形成する。多重量子井戸の活性領域の井戸層はGaInNAs層で形成されている。その結果、バンドの曲率が大きくなり遷移確率が増大して低閾値高効率発振が可能となる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と複数の量子井戸構造よりなる多重量子井戸構造において、伝導帯あるいは荷電子帯の同一伝導帯のサブバンド間遷移によって動作するユニポーラ多重量子井戸構造であって、量子井戸の幅を変化させることにより、第一の量子井戸のバンドの低レベルから第二の量子井戸のバンドの高レベルへの電子の移動を可能にする量子井戸構造よりなり、量子井戸を構成する半導体結晶に窒素原子を含むことを特徴とする多重量子井戸構造。

IPC (3件)：

H01S5/343 ,  H01L31/10 ,  H01S5/227

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01S5/227 ,  H01L31/10 A

Fターム (28件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB10 ,  5F049PA01 ,  5F049PA14 ,  5F049PA15 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29