特許

J-GLOBAL ID：200903096323550258

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 向原 智一 ,  岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186653
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流の低減と低消費電力化を図り、安定な温度特性を実現した高密度化に適した素子構造の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 屈折率n1で膜厚がλ/4n1の第1の半導体膜(GaAs)と屈折率n2で膜厚がλ/4n2の第2の半導体膜(AlAs)とを交互に積層したノンドープの半導体多層膜からなる一対の多層膜反射鏡と、p型拡散層(Zn拡散流域)とn型拡散層(Si拡散領域)とにより形成される横注入形のpn接合を有し、上記一対の多層膜反射鏡が異種基板接着法により直接接着されて上下面が挟まれた活性層とを備えたことを特徴とする。また上記拡散層を混晶化することで、屈折率導波路型の活性層を実現する。

請求項（抜粋）：

波長λの光に対して屈折率n1で膜厚がλ/4n1の第1の半導体膜と上記波長λの光に対して屈折率n2で膜厚がλ/4n2の第2の半導体膜とを交互に積層したノンドープの半導体多層膜からなる一対の多層膜反射鏡と、横注入形のpn接合を有し上記一対の多層膜反射鏡により上下面が挟まれた活性層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。