特許
J-GLOBAL ID：200903096331848487
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260723
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 歩留り及び信頼性の高い半導体レーザ装置を得る。【構成】 サブマウント5の上に設けられたレーザチップ11の下面にはメサ溝2が設けられている。レーザチップ11の下面近傍には発光点4が備えられている。メサ溝2は発光点4の両側に形成されており、レーザチップ11の下面のうち、メサ溝2が挟む部分、及びメサ溝2の内発光点4の近くにある部分にメタライズ層31が設けられている。メタライズ層31とサブマウント5とは半田7によって接着されている。【効果】 ダイボンド時に半田7はメサ溝2に流れ込み、レーザチップ11の側壁に付着することなく、レーザチップ11の接合をショートさせることはない。
請求項（抜粋）：
(a)(a-1)主面と、(a-2)前記主面の近傍に位置する発光点と、(a-3)前記主面において前記発光点の両側に設けられた溝と、(a-4)前記溝に挟まれた前記主面、及び前記溝の前記発光点近傍の内壁に設けられた介在層と、を有する半導体レーザ素子と、(b)放熱体と、(c)前記半導体レーザ素子と前記放熱体とを前記介在層を介して接着する導電材と、を備える半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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