特許

J-GLOBAL ID：200903096335321335

半導体モジュール及びその製造方法

発明者： 村上 進 ,  江口 州志 ,  望月 康弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174336
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030015
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高温高湿度の環境中または高温度サイクルの環境中で使用しても、高耐圧特性や高信頼特性を充分に確保できる半導体モジュールを提供する。【構成】 支持台4上に載置された1つまたはそれ以上の半導体素子1が絶縁容器10内に収納され、絶縁容器から接続端子8、9が導出されてなる半導体モジュールにおいて、半導体素子1は、側面及び上面の少なくとも周縁部が10 6dyn/cm2 以上の弾性率を持つ第1の絶縁物12によって被覆されており、絶縁容器10内は、少なくとも半導体素子1に近接した部分が106 dyn/cm2 以下の弾性率を持つ第2の絶縁物13によって充填されている。

請求項（抜粋）：

支持台上に載置された半導体素子が絶縁容器内に収納され、前記絶縁容器から端子が導出される半導体モジュールにおいて、前記半導体素子は、側面及び上面の少なくとも周縁部が10 6dyn/cm2 以上の弾性率を持つ第1の絶縁物によって被覆され、前記絶縁容器内は、前記半導体素子に近接した部分が106 dyn/cm2 以下の弾性率を持つ第2の絶縁物によって充填されていることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/24 ,  H01L 23/28