特許

J-GLOBAL ID：200903096337823702

半導体受光素子

発明者： 石村 栄太郎 ,  柿本 昇一 ,  青柳 利隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079009
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 発生キャリア密度分布を一様に保ち、電界強度分布の歪みを防止して出力電気信号の応答速度の遅れや、出力信号波形の歪みを抑制した導波路型フォトダイオードを得ることを目的とする。【構成】 n型InP基板5の表面中央部にストライプ状に、n型InGaAsP光導波層7およびn型InP層5aおよびi型InGaAs光吸収層4aが順に積層して形成され、それらの両側には半絶縁性InP層3が形成されている。【効果】 光吸収層に直接光が入射した場合に発生する一方の端面近傍のみでの光吸収を防止して、部分的にキャリアが偏る現象を抑制できるので、光吸収層での電界強度分布の歪みを防止することができ、電界強度分布の歪みに起因する出力電気信号の応答速度の遅れや、出力信号波形の歪みを抑制する効果がある。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層および第2半導体層の間に形成された高屈折率の光吸収層とを有し、一方の端面から光が入射する半導体受光素子において、前記光吸収層に隣接して低屈折率の中間層を形成するとともに、前記光吸収層よりも屈折率が低く、前記中間層よりも屈折率が高い光導波層を、前記中間層を介して前記光吸収層に平行に形成したことを特徴とする半導体受光素子。