半導体素子のための緩衝化基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148652
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064822
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を行なうための技術を提供する。【解決手段】基板100上に形成したシリコン層104をレーザビーム106の照射によって結晶化して多結晶シリコン層108を得る半導体装置などに用いられ、基板100とシリコン層104との間にバッファ層102が形成されている。バッファ層102を有するこのようなバッファ化基板において、該バッファ層102は、基板100の限界温度よりも高い融点を有し、さらに、シリコン層104の結晶化に際し、バッファ層102上に均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層104の核生成密度を規定し、かつシリコン層104の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された緩衝層と、前記緩衝層上に形成された後にレーザによって結晶化されたシリコン層と、を含む緩衝化基板であって、前記緩衝層は、前記基板の限界温度以上の融点を有し、さらに、前記シリコン層の結晶化に際し、該緩衝層上に均一なシリコン結晶粒子を形成するために、前記シリコン層の核生成密度を規定し、かつ前記シリコン層の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能することを特徴とする緩衝化基板。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 27/12 R , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-130914
特開昭60-127745
特開昭59-119822

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