特許
J-GLOBAL ID：200903096342187288
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272741
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123961
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 半透光性膜パターンを有するハーフトーン型の位相シフトマスクと遮光性膜パターンを有する位相シフトマスクとを同一基板上に有する位相シフトマスクを得る。【構成】 透明基板2上にエッチング停止膜3、所定のパターンを形成する位相シフト層4が順次形成されており、領域Aに形成された位相シフト層4上にクロムからなる遮光性膜パターン5が形成され、領域Bに形成された位相シフト層4上にモリブデン・シリサイドからなる半透光性膜パターン6が形成されたもので、レベンソン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクが同一基板上に形成されてなる位相シフトマスクである。半透光性膜パターンを構成するクロムと遮光性膜パターンを構成するモリブデン・シリサイドとは、一方のパターンを形成するエッチング処理に用いるエッチング媒体に対して他方のパターンを構成する物質が耐性を有する組み合わせである。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、実質的に露光に寄与する強度の光を通過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を通過させる半透光部とで構成される半透光性膜パターン及び透光部と遮光部とで構成される遮光性膜パターンと、前記遮光性膜パターンの所望の透光部及び前記半透光性膜パターンの半透光部を通過する光の位相を推移させる位相シフト層とを有する位相シフトマスクであって、前記半透光性膜パターンを構成する物質と前記遮光性膜パターンを構成する物質との組み合わせを、一方のパターンを形成するエッチング処理に用いるエッチング媒体に対して他方のパターンを構成する物質が耐性を有する組み合わせに選定したことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
