特許
J-GLOBAL ID：200903096344036376
半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235021
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085797
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 アルミニウムを含まない活性領域を有する半導体デバイスを提供する。【解決手段】 本発明の半導体デバイスは、アルミニウムを含まない活性領域を有する半導体デバイスであって、活性領域は、1つ以上の量子井戸層と、1つ以上のバリア層と、を含み、量子井戸層とバリア層とは交互に配置され、1つ以上のバリア層が歪層であって、デバイスは、第1クラッド層と、第1クラッド層と第1クラッド層に最近接の量子井戸層との間に配置されたアルミニウムを含まない領域または層と、をさらに含む。
請求項（抜粋）：
アルミニウムを含まない活性領域を有する半導体デバイスであって、該活性領域は、1つ以上の量子井戸層と、1つ以上のバリア層と、を含み、該量子井戸層と該バリア層とは交互に配置され、該1つ以上のバリア層が歪層であって、該デバイスは、第1クラッド層と、該第1クラッド層と該第1クラッド層に最近接の該量子井戸層との間に配置されたアルミニウムを含まない領域または層と、をさらに含む、半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/343
, H01L 33/00 B
