特許

J-GLOBAL ID：200903096346400954

太陽電池およびその製造方法

発明者： 梅本 哲正 ,  高木 小枝 ,  木戸口 晋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275538
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112010
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 集積型太陽電池のあるユニットセル全面が日陰になったとき、逆バイアス電圧が発生することによる、光電変換層の破壊や日陰が取り去られた後の非可逆な特性低下を防止する。【解決手段】 隣接するユニットセル1における透明導電層11間に形成された第1スクライブ溝14と一部が重なるように、光電変換層12間を絶縁分割する第2スクライブ溝15を形成する。光電変換層12の第2スクライブ溝15の近傍部分が結晶化されて、日陰時にユニットセル1内部に発生する逆バイアス電圧負荷を緩和するための導通効果を有するバイパス導通路17が形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板に、透明導電層、光電変換層、裏面電極層が順に積層されてユニットセルが形成され、隣接するユニットセルの各層同士を絶縁分割するための加工溝が各層間にそれぞれ形成され、前記透明導電層が、隣接するユニットセルの裏面電極層に電気的に直列接続された太陽電池において、前記透明導電層間の加工溝と前記光電変換層間の加工溝とは重なり、前記光電変換層では、その加工溝の近傍部分に、ユニットセル内部に発生する逆バイアス電圧負荷を緩和するためのバイパス導通路が形成されたことを特徴とする太陽電池。