特許
J-GLOBAL ID：200903096346572500
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027670
公開番号（公開出願番号）：特開平10-228784
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルのしきい値分布をより効率的に制御できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 フラッシュメモリにおいて、ベリファイ動作において、複数の異なるベリファイレベルを発生させ、ベリファイレベルを越えるまで書き込みまたは消去の動作のためのパルス電圧を複数回発生させる。高いベリファイ電圧を用いて、しきい値分布を高速に変化し、低いベリファイ電圧を用いて、しきい値分布を狭くする。たとえば、メモリセルに印加するパルス電圧を、電圧値を一定とし、パルス幅をべき乗で増加させて発生させる。または、パルス幅を一定とし、電圧値をべき乗で増加させて発生させる。あるいは、センスアンプの感度が変更可能にして同様のベリファイ機能を果たす。
請求項（抜粋）：
外部から入力されるアドレス信号をデコードして行の選択を行なう第1のデコーダと、外部から入力されるアドレス信号をデコードして列の選択を行なう第2のデコーダと、行及び列の方向に配列され上記の第1と第2のデコーダの出力に基づいて外部からの情報を電気的に書き込みまたは消去される複数のメモリセルからなるメモリアレイと、メモリセルに記憶した情報が所定の状態であるかを判定するセンスアンプと、電源電圧と異なる電圧を発生する高電圧発生回路と、第1と第2のデコーダと高電圧発生回路の動作を制御する制御回路とを備え、この制御回路は、ベリファイ動作において、高電圧発生回路に、複数の異なるベリファイ電位を発生させ、ベリファイ電位を越えるまでメモリセルの書き込みまたは消去の動作のためのパルス電圧を複数回発生させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 601 Q
