特許

J-GLOBAL ID：200903096347022988

半導体装置及びその製造方法並びにシリコン薄膜の形成方法

発明者： 原 明人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144300
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる半導体薄膜の形成方法並びにその半導体薄膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 基板1上に島状の半導体膜3を形成する工程と、半導体膜を分離膜4で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜5で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜11を形成する工程とを有している。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に動作半導体膜が形成された薄膜型の半導体装置であって、前記動作半導体膜の少なくともチャネル領域が、電流方向に対して90°未満の傾きを有する粒界のみを含む結晶状態である準単結晶状態になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (63件)：

5F052AA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052FA02 ,  5F052FA03 ,  5F052FA04 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F052JB09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN80 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-165613
  
• 多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-084373   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭59-205712