特許

J-GLOBAL ID：200903096356422786

感光性ポリイミドポリマー組成物を用いる多層導体/絶縁体共平面薄膜の形成方法及び前記方法で製造される半導体構造体

発明者： ジョン エドワード クロニン ,  カーター ウェリング カーンタ ,  ペイ-イン ポール リー ,  ローズマリー アン プレヴィティ-ケリー ,  ジェイムズ ガードナー ライアン ,  ジュン フーン ユーン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 中島 淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-084814
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140520
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 導体パターンを有する処理半導体基板上で多層導体/絶縁体薄膜を生産するための簡単且つ低コストの方法を提供する。【構成】 絶縁層がそれぞれ下記の一般式で示される構造単位を有する溶剤可溶性感光性ポリイミドポリマー組成物を含むことによって、別のマスキング層及びイメージ転写工程を用いずに、要求される配線チャネル及びスタッドバイアスが絶縁層に直接形成されるのを可能にする。【化1】

請求項（抜粋）：

導体パターンを有する基板上へ多層導体/絶縁体共平面薄膜を形成するための方法であって、感光性ポリイミドポリマー組成物を含む第1層を前記基板へ塗布する工程と、前記第1層を紫外線照射のパターンへ露光する工程と、感光性ポリイミドポリマー組成物を含む第2層を前記第1層へ塗布する工程と、前記第2層を紫外線照射のパターンへ露光する工程と、前記第1層の開口が前記第2層に形成された開口の少なくとも一部と位置合わせされて前記基板の領域が選択的に露出されるように、前記第1及び第2層を現像する工程と、前記第2層上並びに前記第1及び第2層の前記開口内へ導電材料を付着させる工程と、導電材料と前記第2層との表面を共平面化するために、前記第2層上を被覆する前記導電材料を除去する工程と、を含む多層導体/絶縁体共平面薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/312 ,  C08G 73/10 NTF

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-102544
  
• 特開昭64-042152
  
• 特開昭59-231533