特許
J-GLOBAL ID：200903096359440912
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310808
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも狭いストライプ型半導体レーザの新規な構造を提供する。【構成】 基板と反対側のクラッド10,11,21は、活性層のストライプ状に電流が注入される部分と平行に少なくとも一部がGaInAsPからなる凸条部21を有し、クラッドの凸条部21を有しない部分10,11の上部にAlGaInP(AlまたはGaを含まない場合を含む)を含む横光閉じ込め層32が形成されている。クラッドの凸条部を除く部分10,11の厚さは、レーザ発振光が前記横光閉じ込め層に染みだし得る厚さとなっている。
請求項（抜粋）：
GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも狭いストライプ型半導体レーザにおいて、前記基板と反対側のクラッドは、前記活性層のストライプ状に電流が注入される部分と平行に少なくとも一部がGaInAsPからなる凸条部を有し、前記凸条部を有しない前記クラッドの上部にAlGaInP(AlまたはGaを含まない場合を含む)を含む横光閉じ込め層が形成され、前記クラッドの前記凸条部を除く部分の厚さは、レーザ発振光が前記横光閉じ込め層に染みだし得る厚さであることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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